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| Artikelnummer | IXTH102N20T |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 102A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 750W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 500mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 (IXTH) |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247
Auf Lager: 107
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO247HV
Auf Lager: 27
Hersteller: IXYS
Beschreibung: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Auf Lager: 37
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
Auf Lager: 0
