ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル IXTH102N20T

IXYS IXTH102N20T

部品番号
IXTH102N20T
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 200V 102A TO-247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
IXYS

IXYS

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2.64833/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 IXTH102N20T
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 102A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4.5V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 114nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 6800pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 750W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 23 mOhm @ 500mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247 (IXTH)
パッケージ/ケース TO-247-3
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