IXYS IXTH02N250

Artikelnummer: IXTH02N250
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status: Lead free / RoHS Compliant
Familie: Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln

IXYS

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Produktparameter

Artikelnummer	IXTH02N250
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	2500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	200mA (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	7.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	116pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	83W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	450 Ohm @ 50mA, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247 (IXTH)
Paket / Fall	TO-247-3