Artikelnummer | IRLB4132PBF |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 78A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5110pF @ 15V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 140W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 40A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 78A TO220
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 184A TO220
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
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