Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IRLB4132PBF

Infineon Technologies IRLB4132PBF

Numero di parte
IRLB4132PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 78A TO220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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In stock 1480 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.45500/pcs
  • 10 pcs

    0.42950/pcs
  • 100 pcs

    0.33955/pcs
  • 500 pcs

    0.26334/pcs
  • 1,000 pcs

    0.20790/pcs
Totale:0.45500/pcs Unit Price:
0.45500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IRLB4132PBF
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 78A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5110pF @ 15V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 40A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3
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