Infineon Technologies IRLB8314PBF

Artikelnummer: IRLB8314PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 184A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status: Lead free / RoHS Compliant
Familie: Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln

Infineon Technologies

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Produktparameter

Artikelnummer	IRLB8314PBF
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	130A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5050pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	125W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 68A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220-3
Paket / Fall	TO-220-3