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| Artikelnummer | BSC0921NDIATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 17A, 31A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1025pF @ 15V |
| Leistung max | 1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | PG-TISON-8 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
Auf Lager: 15000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON
Auf Lager: 5000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 34V 49A 8TDSON
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 34V 44A 8TDSON
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
Auf Lager: 5000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
Auf Lager: 15000
