제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 BSC0921NDIATMA1

Infineon Technologies BSC0921NDIATMA1

부품 번호
BSC0921NDIATMA1
제조사
Infineon Technologies
기술
MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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제품 매개 변수
부품 번호 BSC0921NDIATMA1
부품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능 Logic Level Gate, 4.5V Drive
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 17A, 31A
Rds On (최대) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 8.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1025pF @ 15V
전력 - 최대 1W
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-PowerTDFN
공급 업체 장치 패키지 PG-TISON-8
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