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| Artikelnummer | BSC0902NSI |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 23A (Ta), 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 10mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 48W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 30A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8 |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND
Auf Lager: 5000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
Auf Lager: 35000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
Auf Lager: 25000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
Auf Lager: 25000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Auf Lager: 0
