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| Artikelnummer | BSC009NE2LS5ATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 41A (Ta), 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 12V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 74W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 0.9 mOhm @ 30A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8 |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND
Auf Lager: 5000
