Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln EPC2012

EPC EPC2012

Artikelnummer
EPC2012
Hersteller
EPC
Beschreibung
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
EPC

EPC

epc designs, develops, markets, and sells gallium nitride based power management devices using mature silicon foundries.

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Menge:
Produktparameter
Artikelnummer EPC2012
Teilstatus Last Time Buy
FET Typ N-Channel
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 145pF @ 100V
Vgs (Max) +6V, -5V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 3A, 5V
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Die
Paket / Fall Die
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