제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF BFU660F,115

NXP USA Inc. BFU660F,115

부품 번호
BFU660F,115
제조사
NXP USA Inc.
기술
TRANSISTOR NPN SOT343F-4
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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합계:0.24000/pcs Unit Price:
0.24000/pcs
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수량:
제품 매개 변수
부품 번호 BFU660F,115
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 5.5V
빈도 - 전환 21GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
이득 12dB ~ 21dB
전력 - 최대 225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 90 @ 10mA, 2V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 60mA
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SOT-343F
공급 업체 장치 패키지 4-DFP
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