Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - RF BFU660F,115

NXP USA Inc. BFU660F,115

Número da peça
BFU660F,115
Fabricante
NXP USA Inc.
Descrição
TRANSISTOR NPN SOT343F-4
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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  • 10 pcs

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  • 1,000 pcs

    0.09331/pcs
Total:0.24000/pcs Unit Price:
0.24000/pcs
Preço alvo:
Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça BFU660F,115
Status da Parte Active
Tipo de transistor NPN
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 5.5V
Frequência - Transição 21GHz
Figura de ruído (dB Typ @ f) 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Ganho 12dB ~ 21dB
Power - Max 225mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 90 @ 10mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 60mA
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-343F
Pacote de dispositivos de fornecedores 4-DFP
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