Artikelnummer | BFU660F,115 |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 5.5V |
Frequenz - Übergang | 21GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz |
Gewinnen | 12dB ~ 21dB |
Leistung max | 225mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 10mA, 2V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 60mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-343F |
Lieferantengerätepaket | 4-DFP |
Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: TRANSISTOR NPN SOT343F
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Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: TRANSISTOR NPN SOT343F-4
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Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: TRANSISTOR NPN SOT343F-4
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Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: TRANSISTOR NPN SOT343F
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Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: TRANSISTOR NPN SOT343F
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