ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ PHN210,118

NXP USA Inc. PHN210,118

部品番号
PHN210,118
メーカー
NXP USA Inc.
説明
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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製品パラメータ
部品番号 PHN210,118
部品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) -
Rds On(Max)@ Id、Vgs 100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.8V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 6nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 250pF @ 20V
電力 - 最大 2W
動作温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
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在庫あり: 0

RFQ 0.13642/pcs
PHN210,118

メーカー: NXP USA Inc.

説明: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

在庫あり: 0

RFQ -
PHN210T,118

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説明: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

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RFQ 0.13143/pcs