ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル PHK28NQ03LT,518

NXP USA Inc. PHK28NQ03LT,518

部品番号
PHK28NQ03LT,518
メーカー
NXP USA Inc.
説明
MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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製品パラメータ
部品番号 PHK28NQ03LT,518
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 23.7A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 30.3nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2800pF @ 20V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 6.25W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 6.5 mOhm @ 14A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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PHK28NQ03LT,518

メーカー: NXP USA Inc.

説明: MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC

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