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| Numéro d'article | PHK28NQ03LT,518 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 23.7A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 30.3nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 6.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 14A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 8-SO |
| Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Fabricant: NXP USA Inc.
La description: MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC
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