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| Numero di parte | PMDPB28UN,115 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 4.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 265pF @ 10V |
| Potenza - Max | 510mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DFN2020-6 |
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6
Disponibile: 0
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Disponibile: 0
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6
Disponibile: 0
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
Disponibile: 0
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON
Disponibile: 0
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
Disponibile: 0
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET ARRAY 2NCH 30V DFN2020D-6
Disponibile: 3000
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
Disponibile: 0
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118
Disponibile: 0
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN
Disponibile: 0
