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| Artikelnummer | PMDPB28UN,115 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.6A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 4.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 265pF @ 10V |
| Leistung max | 510mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | DFN2020-6 |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET ARRAY 2NCH 30V DFN2020D-6
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
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Hersteller: NXP USA Inc.
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 3.5A SOT1118
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN
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