Casa Índice de producto Productos semiconductores discretos Transistores - FET, MOSFET - Arreglos PMDPB28UN,115

NXP USA Inc. PMDPB28UN,115

Numero de parte
PMDPB28UN,115
Fabricante
NXP USA Inc.
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6
Estado sin plomo / estado de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Numero de parte PMDPB28UN,115
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 265pF @ 10V
Potencia - Max 510mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 6-UDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor DFN2020-6
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