Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Singoli APT30GS60BRDQ2G

Microsemi Corporation APT30GS60BRDQ2G

Numero di parte
APT30GS60BRDQ2G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT 600V 54A 250W SOT227
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 192 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    4.32500/pcs

  • 10 pcs

    3.89150/pcs

  • 25 pcs

    3.54580/pcs

  • 100 pcs

    3.19990/pcs

  • 250 pcs

    2.94044/pcs

  • 500 pcs

    2.68098/pcs

  • 1,000 pcs

    2.33505/pcs
Totale:4.32500/pcs Unit Price:
4.32500/pcs		 Etichetta del prezzo:
 Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte APT30GS60BRDQ2G
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 54A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 113A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.15V @ 15V, 30A
Potenza - Max 250W
Cambiare energia 570µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 145nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 16ns/360ns
Condizione di test 400V, 30A, 9.1 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 25ns
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 [B]
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