Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzeln APT30GS60BRDQ2G

Microsemi Corporation APT30GS60BRDQ2G

Artikelnummer
APT30GS60BRDQ2G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 600V 54A 250W SOT227
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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  • Referenzpreis

    (In US-Dollar)
  • 1 pcs

    4.32500/pcs
  • 10 pcs

    3.89150/pcs
  • 25 pcs

    3.54580/pcs
  • 100 pcs

    3.19990/pcs
  • 250 pcs

    2.94044/pcs
  • 500 pcs

    2.68098/pcs
  • 1,000 pcs

    2.33505/pcs
Gesamt:4.32500/pcs Unit Price:
4.32500/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer APT30GS60BRDQ2G
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 54A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 113A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.15V @ 15V, 30A
Leistung max 250W
Energie wechseln 570µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 145nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 16ns/360ns
Testbedingung 400V, 30A, 9.1 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 25ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247 [B]
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