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| Numéro d'article | APT30GS60BRDQ2G |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | NPT |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 54A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 113A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.15V @ 15V, 30A |
| Puissance - Max | 250W |
| Échange d'énergie | 570µJ (off) |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | 145nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 16ns/360ns |
| Condition de test | 400V, 30A, 9.1 Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247 [B] |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247
En stock: 3
