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| Numéro d'article | APT77N60JC3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 600V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 77A |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 5.4mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 640nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 13600pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 568W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 60A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Package de périphérique fournisseur | ISOTOP® |
| Paquet / cas | SOT-227-4, miniBLOC |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 160A 961W TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
En stock: 16
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 160A 961W TO264
En stock: 45
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 650V 134A 595W TO-247
En stock: 52
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOSFET - SIC
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOSFET - SIC
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOSFET - SIC
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