Numéro d'article | APT70GR120L |
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État de la pièce | Active |
Type d'IGBT | NPT |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 160A |
Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 280A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 70A |
Puissance - Max | 961W |
Échange d'énergie | 3.82mJ (on), 2.58mJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de porte | 544nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 33ns/278ns |
Condition de test | 600V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | TO-264-3, TO-264AA |
Package de périphérique fournisseur | TO-264 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 160A 961W TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 160A 961W TO264
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 650V 134A 595W TO-247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOSFET - SIC
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOSFET - SIC
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOSFET - SIC
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