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| Numero de parte | APT77N60JC3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 77A |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 5.4mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 640nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13600pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 568W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 60A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | ISOTOP® |
| Paquete / caja | SOT-227-4, miniBLOC |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 160A 961W TO247
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 112A 543W SOT227
En stock: 16
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 1200V 160A 961W TO264
En stock: 45
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: IGBT 650V 134A 595W TO-247
En stock: 52
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: POWER MOSFET - SIC
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: POWER MOSFET - SIC
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: POWER MOSFET - SIC
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