provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | JAN2N3019 |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| Transistorityyppi | NPN |
| Nykyinen - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi) | 80V |
| Vce-kylläisyys (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Virranotto (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 10V |
| Teho - Max | 800mW |
| Taajuus - Siirtyminen | - |
| Käyttölämpötila | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Pakkaus / kotelo | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Toimittajan laitepaketti | TO-39 |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Varastossa: 0
