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| Numero de parte | JAN2N3019 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 80V |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 10µA (ICBO) |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 10V |
| Potencia - Max | 800mW |
| Frecuencia - Transición | - |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-39 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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