provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | JAN1N4104-1 |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| Jännite - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
| Toleranssi | ±5% |
| Teho - Max | 500mW |
| Impedanssi (maksimi) (Zzt) | 200 Ohm |
| Nykyinen - taaksepäin vuoto @ Vr | 500nA @ 7.6V |
| Jännite - eteenpäin (Vf) (maksimi) @ Jos | 1.1V @ 200mA |
| Käyttölämpötila | -65°C ~ 175°C |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Pakkaus / kotelo | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Toimittajan laitepaketti | DO-35 |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Varastossa: 0
