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| Artikelnummer | JAN1N4104-1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
| Toleranz | ±5% |
| Leistung max | 500mW |
| Impedanz (Max) (Zzt) | 200 Ohm |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500nA @ 7.6V |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200mA |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Lieferantengerätepaket | DO-35 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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