Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STB28N60DM2

STMicroelectronics STB28N60DM2

Artikelnummer
STB28N60DM2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 21A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Menge:
Produktparameter
Artikelnummer STB28N60DM2
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 100V
Vgs (Max) ±25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 170W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 10.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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