Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli STB28N60DM2

STMicroelectronics STB28N60DM2

Numero di parte
STB28N60DM2
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 21A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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In stock 4478 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    -
  • 10 pcs

    2.73350/pcs
  • 100 pcs

    2.24135/pcs
  • 500 pcs

    1.81495/pcs
Totale:0 Unit Price:
0
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte STB28N60DM2
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 100V
Vgs (massimo) ±25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 10.5A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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