Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STB200NF04L-1

STMicroelectronics STB200NF04L-1

Artikelnummer
STB200NF04L-1
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Produktparameter
Artikelnummer STB200NF04L-1
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6400pF @ 25V
Vgs (Max) ±16V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 300W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 50A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket I2PAK
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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