Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - HF BFG 193 E6433

Infineon Technologies BFG 193 E6433

Artikelnummer
BFG 193 E6433
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Produktparameter
Artikelnummer BFG 193 E6433
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 12V
Frequenz - Übergang 8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gewinnen 10.5dB ~ 16dB
Leistung max 600mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 30mA, 8V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 80mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Lieferantengerätepaket PG-SOT223-4
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