Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - Bipolaires (BJT) - RF BFG 193 E6433

Infineon Technologies BFG 193 E6433

Numéro d'article
BFG 193 E6433
Fabricant
Infineon Technologies
La description
TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Paramètre du produit
Numéro d'article BFG 193 E6433
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 12V
Fréquence - Transition 8GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gain 10.5dB ~ 16dB
Puissance - Max 600mW
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 30mA, 8V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-261-4, TO-261AA
Package de périphérique fournisseur PG-SOT223-4
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