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| Artikelnummer | BFG 196 E6327 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Transistor-Typ | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 7.5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Gewinnen | 9dB ~ 14.5dB |
| Leistung max | 800mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 8V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 150mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT223-4 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223
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