Número da peça | VS-GT100TP120N |
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Status da Parte | Obsolete |
Tipo IGBT | Trench |
Configuração | Half Bridge |
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 1200V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 180A |
Power - Max | 652W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 100A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | 12.8nF @ 30V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / Caso | INT-A-PAK (3 + 4) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | INT-A-PAK |
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: IGBT 1200V 258A 893W SOT-227
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: IGBT 600V 184A 577W SOT-227
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: IGBT 1200V 134A 463W SOT-227
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: IGBT 1200V 134A 463W SOT-227
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: IGBT 600V 200A 652W SOT-227
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227
Em estoque: 156