Numero de parte | VS-GT100TP120N |
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Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de IGBT | Trench |
Configuración | Half Bridge |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 1200V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 180A |
Potencia - Max | 652W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 100A |
Corriente - corte de colector (máximo) | 5mA |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 12.8nF @ 30V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / caja | INT-A-PAK (3 + 4) |
Paquete de dispositivo del proveedor | INT-A-PAK |
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: IGBT 1200V 258A 893W SOT-227
En stock: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: IGBT 600V 184A 577W SOT-227
En stock: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: IGBT 1200V 134A 463W SOT-227
En stock: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: IGBT 1200V 134A 463W SOT-227
En stock: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK
En stock: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK
En stock: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227
En stock: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227
En stock: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: IGBT 600V 200A 652W SOT-227
En stock: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227
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