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| Número da peça | IRF830ASPBF |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 500V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.1W (Ta), 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 3A, 10V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | D2PAK |
| Pacote / Caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
Em estoque: 0
