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| Numero de parte | IRF830ASPBF |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 3.1W (Ta), 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 3A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D2PAK |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
En stock: 0
