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| Número da peça | JAN4N22 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Número de canais | 1 |
| Isolamento de tensão | 1000VDC |
| Relação de transferência atual (Min) | 25% @ 10mA |
| Rácio de transferência atual (máx.) | - |
| Turn On / Turn Off Time (Typ) | - |
| Rise / Fall Time (Typ) | 20µs, 20µs (Max) |
| Tipo de entrada | DC |
| Tipo de saída | Transistor with Base |
| Voltagem - Saída (Máx.) | 40V |
| Corrente - Saída / Canal | 50mA |
| Voltagem - Encaminhar (Vf) (Typ) | 1.5V (Max) |
| Corrente - DC Forward (If) (Max) | 40mA |
| Vce Saturation (Max) | 300mV |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-78-6 Metal Can |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-78-6 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 0
