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| Numero di parte | JAN4N22 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Numero di canali | 1 |
| Tensione - Isolamento | 1000VDC |
| Rapporto di trasferimento corrente (min) | 25% @ 10mA |
| Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | - |
| Attiva / Disattiva ora (Tipo) | - |
| Rise / Fall Time (Typ) | 20µs, 20µs (Max) |
| Tipo di input | DC |
| Tipo di uscita | Transistor with Base |
| Tensione - Uscita (max) | 40V |
| Corrente - Uscita / Canale | 50mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.5V (Max) |
| Corrente - DC Forward (If) (Max) | 40mA |
| Vce Saturation (Max) | 300mV |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-78-6 Metal Can |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-78-6 |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Disponibile: 0
