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Número da peça | TK20A25D,S5Q(M |
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Status da Parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 250V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2550pF @ 100V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET Feature | - |
Dissipação de energia (máx.) | 45W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 10A, 10V |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-220SIS |
Pacote / Caso | TO-220-3 Full Pack |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 250V 20A TO-220SIS
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
Em estoque: 400
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Em estoque: 444
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
Em estoque: 132