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| Numero di parte | TK20A25D,S5Q(M |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2550pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 10A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SIS |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 250V 20A TO-220SIS
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
Disponibile: 400
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Disponibile: 444
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
Disponibile: 132
