Toshiba Semiconductor and Storage RN1105MFV,L3F

Número da peça: RN1105MFV,L3F
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Status sem chumbo / status de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Família: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-tendencioso

Toshiba Semiconductor and Storage

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Preço de referência
(Em dólares americanos)
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16,000 pcs
0.01260/pcs
24,000 pcs
0.01134/pcs
56,000 pcs
0.01008/pcs
200,000 pcs
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Parâmetro do produto

Número da peça	RN1105MFV,L3F
Status da Parte	Active
Tipo de transistor	NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	2.2k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	47k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Frequência - Transição	-
Power - Max	150mW
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	SOT-723
Pacote de dispositivos de fornecedores	VESM