Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-tendencioso RN1101ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage RN1101ACT(TPL3)

Número da peça
RN1101ACT(TPL3)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-tendencioso
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parâmetro do produto
Número da peça RN1101ACT(TPL3)
Status da Parte Obsolete
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 80mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 4.7k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Frequência - Transição -
Power - Max 100mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SC-101, SOT-883
Pacote de dispositivos de fornecedores CST3
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