Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-tendencioso RN1105,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage RN1105,LF(CT

Número da peça
RN1105,LF(CT
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-tendencioso
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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    0.15000/pcs
  • 10 pcs

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  • 100 pcs

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    0.04758/pcs
  • 500 pcs

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  • 1,000 pcs

    0.02758/pcs
Total:0.15000/pcs Unit Price:
0.15000/pcs
Preço alvo:
Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça RN1105,LF(CT
Status da Parte Active
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Frequência - Transição 250MHz
Power - Max 100mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SC-75, SOT-416
Pacote de dispositivos de fornecedores SSM
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