Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Single 2SK2866(F)

Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2866(F)

Número da peça
2SK2866(F)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Preço alvo:
Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça 2SK2866(F)
Status da Parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2040pF @ 10V
Vgs (Max) ±30V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 5A, 10V
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220AB
Pacote / Caso TO-220-3
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