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| Numero di parte | 2SK2866(F) |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2040pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 5A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 100MA USM
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 0.1A SSM
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH S-MINI FET
Disponibile: 3000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH S-MINI FET
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 50V S-MINI
Disponibile: 3000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 50V S-MINI
Disponibile: 3000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: JFET N-CH SOT23
Disponibile: 3000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: JFET N-CH SOT23
Disponibile: 21000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: JFET N-CH SOT23
Disponibile: 3000
