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| Número da peça | STQ1HNK60R-AP |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 600V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 400mA (Tc) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 156pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-92-3 |
| Pacote / Caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Fabricante: STMicroelectronics
Descrição: MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
Em estoque: 2000
Fabricante: STMicroelectronics
Descrição: MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92
Em estoque: 2000
